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        晶閘管自動投切電容器(TSC)

        晶閘管自動投切電容器(TSC)

        改善功率因數,降低網損

        補償負荷所需的無功功率,改善功率因數,降低網損,抑制電壓波動,提高電能質量

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        晶閘管自動投切電容器(TSC

        TSC根據低壓配電系統內負荷的無功功率和系統電壓控制晶閘管投切電容器,補償負荷所需的無功功率,改善功率因數,降低網損,抑制電壓波動,提高電能質量。若諧波存在于供電系統上時,則可串聯一定的電抗,形成電抗性補償系統。

        我公司(北京艾普飛特科技有限責任公司)生產的EPFT-TSC系列可控硅無功補償裝置是一種動態跟蹤補償的新型電子式無觸點可控硅電容投切裝置,利用大功率晶閘管組成低壓雙向可控硅交流無觸點開關,可實現對多級電容器組的快速過零投切。在TSC裝置電容器支路中串聯適當的電感,可有效防止諧波放大、吸收部分諧波電流,起到諧波抑制的作用。同時該系列裝置可以采用三相獨立的控制技術有效解決了三相不平衡沖擊負荷補償的技術難題,裝置響應時間小于20ms,實現功率因數補償至0.9以上的目的。

        EPFT-TSC系列可控硅無功補償裝置是無功補償領域中的升級換代產品。主要適用于工礦企業、石油、汽車、造船、發電廠、變電站、鋼鐵、冶金、化工、建筑、通信醫院機場等負荷頻繁變化的場所。

        技術特點:

        • 采用雙向反并晶閘管,實現電壓、電流過零投切,無沖擊,無涌流和過電壓,不引入暫態和諧波;
        • 可以三相平衡循環、組織投切,又可分相循環、組合投切;
        • 采用DPS?數字化控制器;
        • 在線參數設置;
        • 在線綜合測量,實現檢測負荷V、I、P、Q、cosФ及投切級數;
        • 開關頻率高,壽命長,響應迅速,響應時間≤20ms;
        • 斷電自動恢復;
        • 過壓/欠壓保護、快速熔斷器過流保護以及晶閘管過熱保護。

        技術參數:
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        ◆?額定電壓:0.4kV
        ?◆ 額定頻率:50Hz
        ?◆ 動作相應時間:≤20ms
        ?◆ 晶閘管耐壓:1800V
        ?◆ 電容選配:三相電容10kVar~30kVar;
        ?◆ 單相電容3kVar~10kVar。

        其他規格需特殊訂貨。
        ?◆ 裝置尺寸:700mm(寬)×550mm(深)×190mm(高)
        ?◆ 柜體尺寸:800mm(寬)×800mm(深)×2200mm(高)。
        ? ? ? ? ? ?不限柜型,可以與國內外各種柜型配套。

        工作環境條件:

        • 環境溫度:-25℃~+40℃;
        • 相對濕度:<90%(+25℃),無凝露;
        • 最大日溫差:20℃;
        • 安裝地點:戶內;
        • 安裝海拔高度:<1000米。


        型號說明:

        (注:如果負載中的諧波以5次及以上諧波為主,串聯電抗器的串抗率選7%;如果負載中的諧波以3次及以上的諧波為主,串聯電抗器的串抗率選14%;也可以根據用戶需要,串抗率特殊定制。)

        原理接線:


        EPFT-TSC模塊外形:


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